MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。