（）是最早實現提純和完美晶體生長的半導體材料。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。