絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。