A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西門子改良法
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A.p型半導(dǎo)體
B.本征半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.pn結(jié)
A、無(wú)色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
A.具有較大的內(nèi)表面,吸附容量大
B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,耐熱沖擊,耐腐蝕
C.不易得,昂貴
D.容易再生
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過(guò)于平整
D、無(wú)變化
最新試題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
MOS管閾值電壓的單位是eV。