單項(xiàng)選擇題參雜硼元素的半導(dǎo)體是（）.
A.p型半導(dǎo)體
B.本征半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.pn結(jié)
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1.單項(xiàng)選擇題下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是（）。
A、無色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
2.單項(xiàng)選擇題下列不屬于工業(yè)吸附要求的是（）。
A.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大
B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，耐熱沖擊，耐腐蝕
C.不易得，昂貴
D.容易再生
3.單項(xiàng)選擇題下列與硼氧復(fù)合體缺陷無關(guān)的是（）。
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
4.單項(xiàng)選擇題盡量提高晶轉(zhuǎn)可以改善晶體中雜質(zhì)分布的徑向均勻性，如果晶轉(zhuǎn)過高，會導(dǎo)致固液界面的形狀（）。
A、形狀太凹
B、形狀太凸
C、過于平整
D、無變化
5.單項(xiàng)選擇題通過（）改變驅(qū)動力場，借以控制生長系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長工藝中經(jīng)常使用的方法。
A、溫度場
B、磁場
C、重力場
D、電場
最新試題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題