A.制備方法簡(jiǎn)單
B.工藝成本低
C.制備溫度高
D.可大面積制備
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A.SiCl4法
B.硅烷法
C.直拉法
D.西門(mén)子改良法
A.p型半導(dǎo)體
B.本征半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.pn結(jié)
A、無(wú)色透明
B、易燃易爆
C、不易揮發(fā)和水解
D、有刺激性氣味
A.具有較大的內(nèi)表面,吸附容量大
B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,耐熱沖擊,耐腐蝕
C.不易得,昂貴
D.容易再生
A、氧
B、硼
C、溫度
D、濕度
最新試題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。