多項(xiàng)選擇題絕對(duì)零度時(shí),純硅中()。
A.沒有可動(dòng)空穴
B.沒有可動(dòng)電子
C.沒有可動(dòng)載流子
D.沒有聲子
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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于硅中載流子激發(fā)的說法中,錯(cuò)誤的有()。
A.雜質(zhì)激發(fā)主要發(fā)生在高溫段
B.本征激發(fā)主要發(fā)生在低溫段
C.絕對(duì)零度時(shí)不存在雜質(zhì)激發(fā)
D.本征激發(fā)的載流子濃度是多子濃度
2.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中的載流子濃度會(huì)收到哪些因素的影響?()
A.復(fù)合過程與機(jī)理
B.材料的質(zhì)量密度
C.材料本身
D.溫度
E.摻雜濃度
3.多項(xiàng)選擇題導(dǎo)帶電子運(yùn)動(dòng)到價(jià)帶后()。
A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動(dòng)
C.帶隙消失
D.也許會(huì)適當(dāng)出熱量
4.多項(xiàng)選擇題純硅中摻雜一定濃度的硼元素之后()。
A.費(fèi)米能級(jí)降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
5.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體物理與器件課程的三大特點(diǎn)是()。
A.基礎(chǔ)性
B.抽象性
C.理論性
D.實(shí)踐性
最新試題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題