多項選擇題半導(dǎo)體中的載流子濃度會收到哪些因素的影響?()
A.復(fù)合過程與機理
B.材料的質(zhì)量密度
C.材料本身
D.溫度
E.摻雜濃度
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1.多項選擇題導(dǎo)帶電子運動到價帶后()。
A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動
C.帶隙消失
D.也許會適當(dāng)出熱量
2.多項選擇題純硅中摻雜一定濃度的硼元素之后()。
A.費米能級降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
3.多項選擇題半導(dǎo)體物理與器件課程的三大特點是()。
A.基礎(chǔ)性
B.抽象性
C.理論性
D.實踐性
4.多項選擇題半導(dǎo)體制造業(yè)大致可以分為()兩類。
A.材料生產(chǎn)企業(yè)
B.設(shè)計/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
5.多項選擇題半導(dǎo)體行業(yè)的摩爾定律是()。
A.最早是由Gordon Moore提出來
B.大約每一年半,集成電路集成度提高一倍,性能也提高一倍
C.提出這個定律的科學(xué)家來自英特爾公司
D.近年來一直是是半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展定律
最新試題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題