A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動(dòng)
C.帶隙消失
D.也許會(huì)適當(dāng)出熱量
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A.費(fèi)米能級(jí)降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
A.基礎(chǔ)性
B.抽象性
C.理論性
D.實(shí)踐性
A.材料生產(chǎn)企業(yè)
B.設(shè)計(jì)/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
A.最早是由Gordon Moore提出來
B.大約每一年半,集成電路集成度提高一倍,性能也提高一倍
C.提出這個(gè)定律的科學(xué)家來自英特爾公司
D.近年來一直是是半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展定律
A.直流光伏水泵
B.充電器
C.太陽能風(fēng)扇帽
D.草坪燈、庭院燈
最新試題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。