A.材料生產(chǎn)企業(yè)
B.設(shè)計(jì)/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
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A.最早是由Gordon Moore提出來
B.大約每一年半,集成電路集成度提高一倍,性能也提高一倍
C.提出這個(gè)定律的科學(xué)家來自英特爾公司
D.近年來一直是是半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展定律
A.直流光伏水泵
B.充電器
C.太陽能風(fēng)扇帽
D.草坪燈、庭院燈
A.間歇性工作
B.地域依賴性強(qiáng)
C.光伏發(fā)電本身不用燃料
D.占地面積大
A.能量密度低
B.就近解決發(fā)電、供電和用電
C.受自然條件和氣候環(huán)境因素影響大
D.轉(zhuǎn)換效率較低
A.單位電荷量
B.摻雜濃度
C.本征載流子濃度
D.絕對(duì)溫度
最新試題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
MOS管閾值電壓的單位是eV。
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。