多項選擇題純硅中摻雜一定濃度的硼元素之后()。
A.費米能級降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題半導體物理與器件課程的三大特點是()。
A.基礎性
B.抽象性
C.理論性
D.實踐性
2.多項選擇題半導體制造業(yè)大致可以分為()兩類。
A.材料生產企業(yè)
B.設計/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
3.多項選擇題半導體行業(yè)的摩爾定律是()。
A.最早是由Gordon Moore提出來
B.大約每一年半,集成電路集成度提高一倍,性能也提高一倍
C.提出這個定律的科學家來自英特爾公司
D.近年來一直是是半導體行業(yè)的發(fā)展定律
4.單項選擇題不適合使用無蓄電池的直流光伏發(fā)電系統(tǒng)的應用有()。
A.直流光伏水泵
B.充電器
C.太陽能風扇帽
D.草坪燈、庭院燈
5.單項選擇題以下是太陽能光伏發(fā)電的優(yōu)點的是()。
A.間歇性工作
B.地域依賴性強
C.光伏發(fā)電本身不用燃料
D.占地面積大
最新試題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型:判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型:判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質和缺陷。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題