多項(xiàng)選擇題關(guān)于硅中載流子激發(fā)的說法中,錯(cuò)誤的有()。
A.雜質(zhì)激發(fā)主要發(fā)生在高溫段
B.本征激發(fā)主要發(fā)生在低溫段
C.絕對零度時(shí)不存在雜質(zhì)激發(fā)
D.本征激發(fā)的載流子濃度是多子濃度
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1.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中的載流子濃度會收到哪些因素的影響?()
A.復(fù)合過程與機(jī)理
B.材料的質(zhì)量密度
C.材料本身
D.溫度
E.摻雜濃度
2.多項(xiàng)選擇題導(dǎo)帶電子運(yùn)動到價(jià)帶后()。
A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動
C.帶隙消失
D.也許會適當(dāng)出熱量
3.多項(xiàng)選擇題純硅中摻雜一定濃度的硼元素之后()。
A.費(fèi)米能級降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
4.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體物理與器件課程的三大特點(diǎn)是()。
A.基礎(chǔ)性
B.抽象性
C.理論性
D.實(shí)踐性
5.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體制造業(yè)大致可以分為()兩類。
A.材料生產(chǎn)企業(yè)
B.設(shè)計(jì)/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
最新試題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個(gè)極,()個(gè)區(qū),()個(gè)PN結(jié)。
題型:填空題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題