A.pn結(jié)各處具有統(tǒng)一的費米能級
B.p區(qū)本征費米能級高于n區(qū)本征費米能級
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費米能級高于p區(qū)
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A.pn結(jié)空間電場區(qū)加寬
B.pn結(jié)空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結(jié)不導電
D.pn結(jié)處于反向截止狀態(tài)
A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
A.光伏組件
B.U盤存儲器
C.光盤
D.USB充電線
E.英特爾i7型CPU
A.p區(qū)源源不斷向n區(qū)擴散原子
B.沒有通過截面的靜電流
C.p區(qū)和n區(qū)帶有同樣數(shù)量的電荷量
D.除了空間電荷區(qū)之外的材料都是電中性
A.p區(qū)接電源正極
B.n區(qū)結(jié)電源負極
C.偏置電壓只要大于0伏，pn結(jié)就處于正向?qū)顟B(tài)
D.此時p區(qū)向n區(qū)注入空穴
最新試題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。