A.pn結(jié)空間電場(chǎng)區(qū)加寬
B.pn結(jié)空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結(jié)不導(dǎo)電
D.pn結(jié)處于反向截止?fàn)顟B(tài)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負(fù)電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
A.光伏組件
B.U盤存儲(chǔ)器
C.光盤
D.USB充電線
E.英特爾i7型CPU
A.p區(qū)源源不斷向n區(qū)擴(kuò)散原子
B.沒有通過截面的靜電流
C.p區(qū)和n區(qū)帶有同樣數(shù)量的電荷量
D.除了空間電荷區(qū)之外的材料都是電中性
A.p區(qū)接電源正極
B.n區(qū)結(jié)電源負(fù)極
C.偏置電壓只要大于0伏,pn結(jié)就處于正向?qū)顟B(tài)
D.此時(shí)p區(qū)向n區(qū)注入空穴
A.空穴在價(jià)帶中
B.電子在導(dǎo)帶中
C.電子濃度等于空穴濃度
D.電子濃度隨溫度升高而增大
E.空穴濃度隨溫度升高而增大
F.空穴濃度和電子濃度之和隨溫度升高而增大
G.空穴濃度和電子濃度之乘積隨溫度升高而增大
最新試題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
MOS管閾值電壓的單位是eV。
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。