多項(xiàng)選擇題下列儀器儀表中含有PN結(jié)的有哪些？（）

A.光伏組件
B.U盤存儲器
C.光盤
D.USB充電線
E.英特爾i7型CPU


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1.多項(xiàng)選擇題平衡pn結(jié)的特征在理論上有（）。

A.p區(qū)源源不斷向n區(qū)擴(kuò)散原子
B.沒有通過截面的靜電流
C.p區(qū)和n區(qū)帶有同樣數(shù)量的電荷量
D.除了空間電荷區(qū)之外的材料都是電中性

2.多項(xiàng)選擇題PN結(jié)正向偏置時，下列說法正確的是（）。

A.p區(qū)接電源正極
B.n區(qū)結(jié)電源負(fù)極
C.偏置電壓只要大于0伏，pn結(jié)就處于正向?qū)顟B(tài)
D.此時p區(qū)向n區(qū)注入空穴

3.多項(xiàng)選擇題本征硅的載流子濃度說法中，哪些是正確的？（）

A.空穴在價帶中
B.電子在導(dǎo)帶中
C.電子濃度等于空穴濃度
D.電子濃度隨溫度升高而增大
E.空穴濃度隨溫度升高而增大
F.空穴濃度和電子濃度之和隨溫度升高而增大
G.空穴濃度和電子濃度之乘積隨溫度升高而增大

4.多項(xiàng)選擇題決定本征硅的載流子濃度的因素有（）。

A.狀態(tài)密度
B.溫度
C.費(fèi)米能級
D.導(dǎo)帶能級密度

5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于費(fèi)米能級的說法中，正確的有（）。

A.純硅的費(fèi)米能級位于帶隙正中央
B.摻雜了鋁的硅的費(fèi)米能級靠近價帶
C.摻雜了鍺的硅的費(fèi)米能級靠近導(dǎo)帶
D.施主型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級靠近價帶