A.p區(qū)接電源正極
B.n區(qū)結(jié)電源負(fù)極
C.偏置電壓只要大于0伏，pn結(jié)就處于正向?qū)顟B(tài)
D.此時(shí)p區(qū)向n區(qū)注入空穴
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A.空穴在價(jià)帶中
B.電子在導(dǎo)帶中
C.電子濃度等于空穴濃度
D.電子濃度隨溫度升高而增大
E.空穴濃度隨溫度升高而增大
F.空穴濃度和電子濃度之和隨溫度升高而增大
G.空穴濃度和電子濃度之乘積隨溫度升高而增大
A.狀態(tài)密度
B.溫度
C.費(fèi)米能級(jí)
D.導(dǎo)帶能級(jí)密度
A.純硅的費(fèi)米能級(jí)位于帶隙正中央
B.摻雜了鋁的硅的費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶
C.摻雜了鍺的硅的費(fèi)米能級(jí)靠近導(dǎo)帶
D.施主型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶
A.電子濃度增大
B.硅的帶隙中出現(xiàn)了施主能級(jí)
C.少子數(shù)量增大
D.施主型載流子濃度就是多子濃度
A.它表明能量為E的狀態(tài)被占據(jù)的幾率
B.取值范圍為0%～100%
C.根據(jù)這個(gè)函數(shù)，溫度越高，導(dǎo)帶能級(jí)被占據(jù)的幾率越小
D.費(fèi)米能級(jí)被占據(jù)的幾率是50%
最新試題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。