多項選擇題關于費米分布函數(shù)的說法,哪些是正確的?()
A.它表明能量為E的狀態(tài)被占據(jù)的幾率
B.取值范圍為0%~100%
C.根據(jù)這個函數(shù),溫度越高,導帶能級被占據(jù)的幾率越小
D.費米能級被占據(jù)的幾率是50%
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1.多項選擇題絕對零度時,純硅中()。
A.沒有可動空穴
B.沒有可動電子
C.沒有可動載流子
D.沒有聲子
2.多項選擇題關于硅中載流子激發(fā)的說法中,錯誤的有()。
A.雜質(zhì)激發(fā)主要發(fā)生在高溫段
B.本征激發(fā)主要發(fā)生在低溫段
C.絕對零度時不存在雜質(zhì)激發(fā)
D.本征激發(fā)的載流子濃度是多子濃度
3.多項選擇題半導體中的載流子濃度會收到哪些因素的影響?()
A.復合過程與機理
B.材料的質(zhì)量密度
C.材料本身
D.溫度
E.摻雜濃度
4.多項選擇題導帶電子運動到價帶后()。
A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動
C.帶隙消失
D.也許會適當出熱量
5.多項選擇題純硅中摻雜一定濃度的硼元素之后()。
A.費米能級降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
最新試題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題