A.p區(qū)源源不斷向n區(qū)擴散原子
B.沒有通過截面的靜電流
C.p區(qū)和n區(qū)帶有同樣數(shù)量的電荷量
D.除了空間電荷區(qū)之外的材料都是電中性
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A.p區(qū)接電源正極
B.n區(qū)結(jié)電源負(fù)極
C.偏置電壓只要大于0伏，pn結(jié)就處于正向?qū)顟B(tài)
D.此時p區(qū)向n區(qū)注入空穴
A.空穴在價帶中
B.電子在導(dǎo)帶中
C.電子濃度等于空穴濃度
D.電子濃度隨溫度升高而增大
E.空穴濃度隨溫度升高而增大
F.空穴濃度和電子濃度之和隨溫度升高而增大
G.空穴濃度和電子濃度之乘積隨溫度升高而增大
A.狀態(tài)密度
B.溫度
C.費米能級
D.導(dǎo)帶能級密度
A.純硅的費米能級位于帶隙正中央
B.摻雜了鋁的硅的費米能級靠近價帶
C.摻雜了鍺的硅的費米能級靠近導(dǎo)帶
D.施主型半導(dǎo)體的費米能級靠近價帶
A.電子濃度增大
B.硅的帶隙中出現(xiàn)了施主能級
C.少子數(shù)量增大
D.施主型載流子濃度就是多子濃度
最新試題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。