理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。