實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。