問答題確定在1200℃時(shí)，由SiCl4源生長的外延層的生長速率。反應(yīng)室的氣相質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)是hG=5cm/s，表面反應(yīng)速率常數(shù)為KS=107exp（-1.9eV/kT）cm/s，CG=5*1016cm-3。如果反應(yīng)溫度降低2℃，生長速率將變化多少？
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最新試題
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題型：判斷題
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