半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。