“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。