處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管閾值電壓的單位是eV。