MOS管閾值電壓的單位是eV。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。