MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。