處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。