氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。