問(wèn)答題簡(jiǎn)述位錯(cuò)對(duì)材料性能的影響及無(wú)位錯(cuò)單晶工藝的要點(diǎn)。
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1.問(wèn)答題解釋組分過(guò)冷并推導(dǎo)組分過(guò)冷產(chǎn)生的條件,討論出現(xiàn)組分過(guò)冷時(shí)平坦界面上的干擾如何發(fā)展成胞狀界面及枝蔓生長(zhǎng)。
2.問(wèn)答題分析產(chǎn)生雜質(zhì)條紋的根本原因,說(shuō)明對(duì)于非平坦界面,由于晶轉(zhuǎn)軸與熱轉(zhuǎn)軸不重合帶來(lái)的雜質(zhì)條紋的形狀。
4.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶徑向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
5.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶縱向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
最新試題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體,其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個(gè)極,()個(gè)區(qū),()個(gè)PN結(jié)。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題