MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。