您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.寬度大約幾百個(gè)微米
B.其寬度與外加偏置電壓大小有關(guān)
C.反向偏置寬度增大
D.正向偏置寬度增大
E.內(nèi)部存在著熱平衡載流子
F.與p區(qū)和n區(qū)相比最容易失效
A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子
C.p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的空穴多于n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的空穴
D.n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的電子多于p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的電子
A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子
C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子
D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴
E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴(kuò)散原子
A.p區(qū)邊界電子濃度為零
B.n區(qū)邊界空穴濃度為零
C.p區(qū)邊界少子濃度為零
D.n區(qū)邊界少子濃度為零
E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零
F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零
A.合金法
B.擴(kuò)散法
C.離子注入法
D.外延生長法
最新試題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對漏源電流的控制能力。
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。