判斷題電子親合力是真空能級與導(dǎo)帶底的差值。

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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于pn結(jié)空間電荷區(qū)的說法正確的有()。

A.寬度大約幾百個(gè)微米
B.其寬度與外加偏置電壓大小有關(guān)
C.反向偏置寬度增大
D.正向偏置寬度增大
E.內(nèi)部存在著熱平衡載流子
F.與p區(qū)和n區(qū)相比最容易失效

2.多項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí),下列說法正確的有()。

A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子
C.p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的空穴多于n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的空穴
D.n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的電子多于p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的電子

3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于平衡狀態(tài)的pn結(jié),下列說法正確的有()。

A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子
C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子
D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴
E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴(kuò)散原子

4.多項(xiàng)選擇題pn結(jié)反向偏置達(dá)到平衡時(shí),下列說法正確的有()。

A.p區(qū)邊界電子濃度為零
B.n區(qū)邊界空穴濃度為零
C.p區(qū)邊界少子濃度為零
D.n區(qū)邊界少子濃度為零
E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零
F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零

5.多項(xiàng)選擇題pn結(jié)的制備方法有()。

A.合金法
B.擴(kuò)散法
C.離子注入法
D.外延生長法