A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子
C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子
D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴
E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴(kuò)散原子
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A.p區(qū)邊界電子濃度為零
B.n區(qū)邊界空穴濃度為零
C.p區(qū)邊界少子濃度為零
D.n區(qū)邊界少子濃度為零
E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零
F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零
A.合金法
B.擴(kuò)散法
C.離子注入法
D.外延生長(zhǎng)法
A.pn結(jié)各處具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)
B.p區(qū)本征費(fèi)米能級(jí)高于n區(qū)本征費(fèi)米能級(jí)
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費(fèi)米能級(jí)高于p區(qū)
A.pn結(jié)空間電場(chǎng)區(qū)加寬
B.pn結(jié)空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結(jié)不導(dǎo)電
D.pn結(jié)處于反向截止?fàn)顟B(tài)
A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負(fù)電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
最新試題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。