多項選擇題pn結的制備方法有()。
A.合金法
B.擴散法
C.離子注入法
D.外延生長法
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1.多項選擇題關于平衡pn結的能帶的說法中,正確的有()。
A.pn結各處具有統(tǒng)一的費米能級
B.p區(qū)本征費米能級高于n區(qū)本征費米能級
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費米能級高于p區(qū)
2.多項選擇題pn結反向偏置正常工作時()。
A.pn結空間電場區(qū)加寬
B.pn結空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結不導電
D.pn結處于反向截止狀態(tài)
3.多項選擇題關于pn結,正確的說法有()。
A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
4.多項選擇題下列儀器儀表中含有PN結的有哪些?()
A.光伏組件
B.U盤存儲器
C.光盤
D.USB充電線
E.英特爾i7型CPU
5.多項選擇題平衡pn結的特征在理論上有()。
A.p區(qū)源源不斷向n區(qū)擴散原子
B.沒有通過截面的靜電流
C.p區(qū)和n區(qū)帶有同樣數(shù)量的電荷量
D.除了空間電荷區(qū)之外的材料都是電中性
最新試題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產最主要的一種是()。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
雙極型晶體管內部有()個極,()個區(qū),()個PN結。
題型:填空題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結是()結,處于反偏的PN結是()結。
題型:填空題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題