A.p區(qū)邊界電子濃度為零
B.n區(qū)邊界空穴濃度為零
C.p區(qū)邊界少子濃度為零
D.n區(qū)邊界少子濃度為零
E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零
F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零
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A.合金法
B.擴(kuò)散法
C.離子注入法
D.外延生長(zhǎng)法
A.pn結(jié)各處具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)
B.p區(qū)本征費(fèi)米能級(jí)高于n區(qū)本征費(fèi)米能級(jí)
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費(fèi)米能級(jí)高于p區(qū)
A.pn結(jié)空間電場(chǎng)區(qū)加寬
B.pn結(jié)空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結(jié)不導(dǎo)電
D.pn結(jié)處于反向截止?fàn)顟B(tài)
A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負(fù)電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
A.光伏組件
B.U盤(pán)存儲(chǔ)器
C.光盤(pán)
D.USB充電線
E.英特爾i7型CPU
最新試題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。