A.寬度大約幾百個微米
B.其寬度與外加偏置電壓大小有關(guān)
C.反向偏置寬度增大
D.正向偏置寬度增大
E.內(nèi)部存在著熱平衡載流子
F.與p區(qū)和n區(qū)相比最容易失效
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A.p區(qū)向n區(qū)擴散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴散電子
C.p區(qū)進入n區(qū)的空穴多于n區(qū)進入p區(qū)的空穴
D.n區(qū)進入p區(qū)的電子多于p區(qū)進入n區(qū)的電子
A.p區(qū)向n區(qū)擴散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴散電子
C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子
D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴
E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴散原子
A.p區(qū)邊界電子濃度為零
B.n區(qū)邊界空穴濃度為零
C.p區(qū)邊界少子濃度為零
D.n區(qū)邊界少子濃度為零
E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零
F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零
A.合金法
B.擴散法
C.離子注入法
D.外延生長法
A.pn結(jié)各處具有統(tǒng)一的費米能級
B.p區(qū)本征費米能級高于n區(qū)本征費米能級
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費米能級高于p區(qū)
最新試題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。