雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。