理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。

MOS管的伏安特性曲線(xiàn)含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。