第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。