絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。