柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。