p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。