第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。