MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。