雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。