填空題一般X射線大致具有的性質(zhì)（），熒光作用，電離作用，穿透能力強(qiáng)，X射線的折射率近似等于1，衍射作用。
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1.問(wèn)答題解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
2.問(wèn)答題離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
3.問(wèn)答題例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
5.問(wèn)答題例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
最新試題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題