MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。