雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。