MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。