問(wèn)答題在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
2.問(wèn)答題解釋什么是暗場(chǎng)掩模板。
3.問(wèn)答題例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
4.問(wèn)答題什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？
5.問(wèn)答題什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
最新試題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題