p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。